DMNH6021SPD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI5060-C-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20.1 nC, 20.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

5.4 ns, 5.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns, 6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.2 ns, 14.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.4 ns, 4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.004092 oz

Tags

DMNH6021SPD, DMNH6021SP, DMNH6021, DMNH602, DMNH6, DMNH, DMN