DMN10H220LVT-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.24 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.67 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN10

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.8 ns

Tags

DMN10H220LV, DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN