IRF7757TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.2 mm

Länge:

4.4 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.2 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.5 ns

Teil # Aliase:

SP001566434

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

IRF7757, IRF775, IRF77, IRF7, IRF