BSO303SP H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

19 S

Abfallzeit:

33 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

BSO303SPHXUMA1 BSO33SPHXT SP000613848

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO303SPH, BSO303S, BSO303, BSO30, BSO3, BSO