TSM13ND50CI RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

480 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

TSM

Transistortyp:

Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

TSM13N, TSM13, TSM1, TSM