ZXMN3A06N8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMN3A06, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM