ZXMN10A08E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMN10A

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

ZXMN10A08E6T, ZXMN10A08E, ZXMN10A08, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM