RZQ045P01TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RZQ045P01

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

75 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

75 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

390 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

RZQ045P01

Tags

RZQ045P01T, RZQ04, RZQ0, RZQ