DMG6301UDW-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

240 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

850 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

360 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

370 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerDI

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG6301

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1 S

Abfallzeit:

2.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.8 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

DMG63, DMG6, DMG