NTB30N20G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

68 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

214 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 S

Abfallzeit:

24 ns, 88 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns, 70 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns, 82 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 12 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTB30N2, NTB30N, NTB30, NTB3, NTB