FMMT718TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 145 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

180 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FMMT718

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 35 at 4 A, 2 V, 15 at 6 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

FMMT718TA, FMMT718T, FMMT718, FMMT71, FMMT7, FMMT, FMM