CMPT930 TR TIN/LEAD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

45 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CMPT9

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 uA, 5 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

30 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100 at 10 uA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

CMPT93, CMPT9, CMPT, CMP