2N6468

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

130 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.2 V, 4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

-

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

5 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N6468

DC-Stromverstärkung hFE Max:

150

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

5

Pd - Verlustleistung:

40 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N6468 PBFREE

Tags

2N646, 2N64, 2N6