RTR025P02TL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-346T-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

115 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

RTR025P02

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

RTR025P02

Tags

RTR025P02TL, RTR025P02T, RTR025P, RTR025, RTR02, RTR0, RTR