FQPF2N80YDTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

35 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

QFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.07 mm

Länge:

10.36 mm

Serie:

FQPF2N80YDTU

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.2 S

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.090478 oz

Tags

FQPF2N8, FQPF2N, FQPF2, FQPF, FQP