DMP6110SVT-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP6110

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

42 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000459 oz

Tags

DMP6110SV, DMP611, DMP61, DMP6, DMP