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APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G
Mfr. #:
APTGT30H60T1G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules DOR CC8008
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APTGT30H60T1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Vollbrücke
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
300 nA
Pd - Verlustleistung:
90 W
Paket / Koffer:
SP1-12
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 100 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
2.821917 oz
Tags
APTGT30, APTGT3, APTGT, APTG, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP1
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
Bild Teil # Beschreibung
UCC27524A1QDGNRQ1

Mfr.#: UCC27524A1QDGNRQ1

OMO.#: OMO-UCC27524A1QDGNRQ1

 Gate Drivers DIAMOND DUAL DRIVER AUTOMOTIVE
UCC27524A1QDGNRQ1

Mfr.#: UCC27524A1QDGNRQ1

OMO.#: OMO-UCC27524A1QDGNRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC GATE DVR 2CH LOW SIDE 8MSOP
Verfügbarkeit
Aktie:
38
Auf Bestellung:
2021
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
61,58 $
61,58 $
5
59,72 $
298,60 $
10
57,97 $
579,70 $
25
54,35 $
1 358,75 $
50
53,05 $
2 652,50 $
100
51,81 $
5 181,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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