T1G6001032-SM

T1G6001032-SM
Mfr. #:
T1G6001032-SM
Hersteller:
TriQuint (Qorvo)
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T1G6001032-SM Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
TriQuint (Qorvo)
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
T1G
Verpackung
Tablett
Teil-Aliasnamen
1092157
Montageart
SMD/SMT
Technologie
GaN SiC
Transistor-Typ
HEMT
Gewinnen
19 dB
Pd-Verlustleistung
16 W
Arbeitsfrequenz
3. GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
1.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
32 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Maximum-Drain-Gate-Spannung
- 2.9 V
Tags
T1G60010, T1G6001, T1G6, T1G
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 6 GHz, 10W, 19 dB, 32V, GaN
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T1G6001032-SM
DISTI # 772-T1G6001032-SM
QorvoRF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
RoHS: Compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    T1G6001032-SM

    Mfr.#: T1G6001032-SM

    OMO.#: OMO-T1G6001032-SM-318

    RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
    T1G600

    Mfr.#: T1G600

    OMO.#: OMO-T1G600-1190

    Neu und Original
    T1G6000528-Q3

    Mfr.#: T1G6000528-Q3

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    RF JFET Transistors .2GHz to 6GHz 28Volt 12.5dB GN at 6GHz 7W
    T1G6000528-Q3 28V

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    T1G6001032-SM EVAL BOAR

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    T1G6001032-SM-EVB1

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    T1G6001528-Q3

    Mfr.#: T1G6001528-Q3

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    RF JFET Transistors DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB
    T1G6003028-FS

    Mfr.#: T1G6003028-FS

    OMO.#: OMO-T1G6003028-FS-1152

    RF JFET Transistors DC-6GHz 28Volt 30W GaN on SiC HEMT
    T1G6003028-FS-EVB1

    Mfr.#: T1G6003028-FS-EVB1

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    RF Development Tools 5.4-5.9GHz EVAL BRD
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