DMN4800LSSQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

8.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN4800

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

8.55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26.33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.03 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

DMN4800LSS, DMN4800LS, DMN4800L, DMN48, DMN4, DMN