SPP06N60C3XKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

750 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

74 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.6 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

52 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Teil # Aliase:

SP000681028 SPP06N60C3XKSA1

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SPP06N6, SPP06, SPP0, SPP