CSD17579Q5AT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSONP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

5.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

36 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD17579Q5A

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

36 S

Abfallzeit:

1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.000847 oz

Tags

CSD17579, CSD1757, CSD175, CSD17, CSD1, CSD