TPH3R506PL,LQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

135 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

116 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TPH3R506PL

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

7.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.8 ns

Tags

TPH3R5, TPH3R, TPH3, TPH