SPP11N80C3XK

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

390 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

85 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

156 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3XKSA1

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

SPP11N80C3, SPP11N80, SPP11N8, SPP11N, SPP11, SPP1, SPP