ZXMD65P02N8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

29.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29.9 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.6 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMD65P02N, ZXMD65P02, ZXMD65P, ZXMD65, ZXMD6, ZXMD, ZXM