DMP45H150DHE-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

450 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

13.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

87 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

DMP45, DMP4, DMP