BSS87H6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

240 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

260 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

3.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

160 mS

Abfallzeit:

27.3 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.7 ns

Teil # Aliase:

BSS87 H6327 SP001195034

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

BSS87H, BSS87, BSS8, BSS