T1G2028536-FS

T1G2028536-FS
Mfr. #:
T1G2028536-FS
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T1G2028536-FS Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
T1G2028536-FS Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
18 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
36 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
24 A
Ausgangsleistung:
260 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
48 V
Maximale Betriebstemperatur:
+ 250 C
Pd - Verlustleistung:
288 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
2 GHz
Produkt:
HF-Leistungstransistor
Serie:
T1G
Typ:
GaN SiC HEMT
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1110346
Tags
T1G2028536, T1G2, T1G
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
GaN Solutions
Qorvo Qorvo is your smart RF partner for building solutions using gallium nitride (GaN) technology. Qorvo's is the only supplier to achieve MRL 9 using USAF MRL tool and is a “trusted” supplier with industry-leading GaN reliability. Qorvo is a world-class certified manufacturer - ISO9001, ISO14001, ISO/TS16949.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T1G2028536-FS
DISTI # 772-T1G2028536-FS
QorvoRF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
RoHS: Compliant
25
  • 1:$508.0000
Bild Teil # Beschreibung
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

Mfr.#: T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-FS-1-2-1-4GHZ-EVB5-1152

RF Development Tools DC-2GHz P3dB 260W Eval Board
T1G2028535-FL

Mfr.#: T1G2028535-FL

OMO.#: OMO-T1G2028535-FL-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
25
Auf Bestellung:
2008
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von T1G2028536-FS dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
508,00 $
508,00 $
25
468,17 $
11 704,25 $
Beginnen mit
Top