MJE18002G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

450 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

9 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.92 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

13 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

9.28 mm (Max)

Länge:

10.28 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.82 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

14

Pd - Verlustleistung:

50 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

MJE18002, MJE1800, MJE180, MJE18, MJE1, MJE