IXTA60N10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

176 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.5 mm

Länge:

9.9 mm

Serie:

IXTA60N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.2 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

37 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

27 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTA60N1, IXTA60, IXTA6, IXTA, IXT