STF16NK60Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

620 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

86 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STF16NK60Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STF16N, STF16, STF1, STF