ZXMD63N02XTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.1 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

ZXMD63N02XT, ZXMD63N02, ZXMD63N, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM