NTGS1135PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.2 S

Abfallzeit:

3.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

128 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

NTGS1, NTGS, NTG