IPL65R660E6AUMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

594 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

63 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

8 mm

Serie:

CoolMOS E6

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

8 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

64 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

IPL65R660E6AUMA1 SP000895212

Tags

IPL65R6, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL