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STGFW20V60F

STGFW20V60F
Mfr. #:
STGFW20V60F
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
STGFW20V60F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
STGFW20V60F Mehr Informationen STGFW20V60F Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
STMicroelectronics
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-3PF-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.3 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
40 A
Pd - Verlustleistung:
52 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Serie:
STGFW20V60F
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
20 A
Marke:
STMicroelectronics
Gate-Emitter-Leckstrom:
250 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
300
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.245577 oz
Tags
STGFW2, STGFW, STGF, STG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***icroelectronics
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
***et
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-3PF Tube
***ied Electronics & Automation
IGBT N-Ch 600V 20A High-Speed TO3PF
IGBT V Series
STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high speed IGBT V series feature the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz) and simplified thermal and EMI design.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
STGFW20V60F
DISTI # 497-13954-5-ND		STMicroelectronicsIGBT 600V 40A 52W TO3PF
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		305In Stock
  • 1020:$1.6905
  • 510:$2.0044
  • 120:$2.3547
  • 30:$2.7170
  • 1:$3.2000
STGFW20V60F
DISTI # STGFW20V60F		STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-3PF Tube - Rail/Tube (Alt: STGFW20V60F)
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube		Americas - 0
  • 600:$1.6900
  • 1200:$1.5900
  • 1800:$1.4900
  • 3000:$1.3900
  • 6000:$1.3900
STGFW20V60F
DISTI # 511-STGFW20V60F		STMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
RoHS: Compliant		506
  • 1:$3.0500
  • 10:$2.5900
  • 100:$2.2500
  • 250:$2.1300
STGFW20V60F
DISTI # XSFP00000078064		STMicroelectronicsInsulated Gate BipolarTransistor,40AI(C),600VV(BR)CES, N-Channel
RoHS: Compliant		404
  • 300:$2.3300
  • 404:$2.1900
Bild Teil # Beschreibung
UCC27537DBVR

Mfr.#: UCC27537DBVR

OMO.#: OMO-UCC27537DBVR

 Gate Drivers 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Gate Dvr
FAN9673Q

Mfr.#: FAN9673Q

OMO.#: OMO-FAN9673Q

 Power Factor Correction - PFC 3-Ch Interleaved CCM PFC Cntlr
STGF19NC60HD

Mfr.#: STGF19NC60HD

OMO.#: OMO-STGF19NC60HD

 IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
STGF19NC60HD

Mfr.#: STGF19NC60HD

OMO.#: OMO-STGF19NC60HD-STMICROELECTRONICS

 IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
FAN9673Q

Mfr.#: FAN9673Q

OMO.#: OMO-FAN9673Q-ON-SEMICONDUCTOR

 IC CTLR PFC DUAL BCM 3CH 32LQFP
UCC27537DBVR

Mfr.#: UCC27537DBVR

OMO.#: OMO-UCC27537DBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Gate Drivers 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Gate Dv
Verfügbarkeit
Aktie:
502
Auf Bestellung:
2485
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,04 $
3,04 $
10
2,58 $
25,80 $
100
2,24 $
224,00 $
250
2,12 $
530,00 $
500
1,91 $
955,00 $
1000
1,61 $
1 610,00 $
2500
1,53 $
3 825,00 $
5000
1,47 $
7 350,00 $
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