NVMFD5C478NWFT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

27 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

23 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Tags

NVMFD5C478, NVMFD5C47, NVMFD5C4, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM