BSP320SH6433XTMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

BSP320

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

BSP320S H6433 SP001058772

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

BSP320SH, BSP320S, BSP320, BSP32, BSP3, BSP