DMP1096UCB4-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-WLB1010-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

102 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

5 V

Qg - Gate-Ladung:

3.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

820 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP10

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S

Abfallzeit:

32.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17.6 ns

Tags

DMP10, DMP1, DMP