NDT03N40ZT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

400 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

6.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.2 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

NDT0, NDT