STK850

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PolarPAK-10

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

6.15 mm

Serie:

STK850

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

5.16 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

48 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

57 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

STK85, STK8, STK