FDPC1002S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-33-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.3 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC, 60 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W, 2 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

97 S, 231 S

Abfallzeit:

2 ns, 4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns, 5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 13 ns

Gewichtseinheit:

0.007327 oz

Tags

FDPC1, FDPC, FDP