2SA1515STPR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 100 mA, 3 V

Höhe:

3 mm

Länge:

4 mm

Breite:

2 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180 at 100 mA, 3 V

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SA1515S, 2SA1515, 2SA151, 2SA15, 2SA1, 2SA