BSR302N L6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PG-SC-59

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

4.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSR302

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.8 ns

Teil # Aliase:

BSR302NL6327HTSA1 BSR32NL6327XT SP000257785

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSR302NL, BSR302N, BSR302, BSR30, BSR3, BSR