P13LA10EL-5070

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

14.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.6 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

P13L, P13