SQ9945BEY-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12 nC, 12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S, 12 S

Abfallzeit:

1.7 ns, 1.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.8 ns, 2.8 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns, 17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 6 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SQ9945BEY-T1_G, SQ9945BEY-T, SQ9945BEY, SQ9945BE, SQ9945B, SQ994, SQ99, SQ9