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TC58NVG2S3EBAI5

TC58NVG2S3EBAI5
Mfr. #:
TC58NVG2S3EBAI5
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NVG2S3EBAI5 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
TOSHIBA
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Tablett
Montageart
SMD/SMT
Betriebstemperaturbereich
- 40 C to + 85 C
Speichergröße
4 Gbit
Speichertyp
NAND
Geschwindigkeit
25 ns
Die Architektur
Block löschen
Oberflächentyp
Parallel
Organisation
512 M x 8
Versorgungsstrom-Max
30 mA
Daten-Bus-Breite
8 bit
Versorgungsspannung-Max
3.6 V
Versorgungsspannung-Min
2.7 V
Paket-Koffer
TFBGA-63
Maximale-Takt-Frequenz
-
Timing-Typ
Synchron
Tags
TC58NVG2S3, TC58NVG2S, TC58NVG2, TC58NVG, TC58NV, TC58N, TC58, TC5
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
SLC NAND Flash 3.3V 4G-bit 63-Pin TFBGA
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NVG2S3EBAI5
DISTI # TC58NVG2S3EBAI5		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash 3.3V 4Gbit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NVG2S3EBAI5)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		Americas - 0
    TC58NVG2S3EBAI5
    DISTI # 757-TC58NVG2S3EBAI5    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
      TC58NVG2S3EBAI5
      DISTI # 7522291P      		Toshiba America Electronic ComponentsNAND FLASH 4GBIT 512MX8BIT 25NS TFBGA63, PU63
      • 10:£4.8700
      • 50:£4.7800
      • 100:£4.7200
      • 200:£4.6600
      TC58NVG2S3EBAI5Toshiba America Electronic ComponentsEEPROM, 512MX8, 25ns, Serial, CMOS, PBGA63
      RoHS: Compliant      		Europe - 180
        Bild Teil # Beschreibung
        TC58NVG0S3EBAI4ABH

        Mfr.#: TC58NVG0S3EBAI4ABH

        OMO.#: OMO-TC58NVG0S3EBAI4ABH-1190

        		 EEPROM, 128MX8, Serial, CMOS, PBGA63
        TC58NVG0S3HTAI0B4H

        Mfr.#: TC58NVG0S3HTAI0B4H

        OMO.#: OMO-TC58NVG0S3HTAI0B4H-231

        		 TOSTC58NVG0S3HTAI0B4H IC EEPROM 1GBIT 25 (Alt: TC58NVG0S3HTAI0B4H)
        TC58NVG1S3EBAI4

        Mfr.#: TC58NVG1S3EBAI4

        OMO.#: OMO-TC58NVG1S3EBAI4-1151

        		 NAND Flash Serial 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NVG1S3EBAI4)
        TC58NVG2S3ETAI00

        Mfr.#: TC58NVG2S3ETAI00

        OMO.#: OMO-TC58NVG2S3ETAI00-1190

        		 Neu und Original
        TC58NVG4D2HTA00

        Mfr.#: TC58NVG4D2HTA00

        OMO.#: OMO-TC58NVG4D2HTA00-1190

        		 Neu und Original
        TC58NVGOS3EBA14

        Mfr.#: TC58NVGOS3EBA14

        OMO.#: OMO-TC58NVGOS3EBA14-1190

        		 Neu und Original
        TC58NVG1S3HTA00

        Mfr.#: TC58NVG1S3HTA00

        OMO.#: OMO-TC58NVG1S3HTA00-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

        		 EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
        TC58NVG0S3HBAI6

        Mfr.#: TC58NVG0S3HBAI6

        OMO.#: OMO-TC58NVG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

        		 EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
        TC58NVG2S3ETAI0

        Mfr.#: TC58NVG2S3ETAI0

        OMO.#: OMO-TC58NVG2S3ETAI0-1151

        		 Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
        TC58NVG0S3ETAI0

        Mfr.#: TC58NVG0S3ETAI0

        OMO.#: OMO-TC58NVG0S3ETAI0-1151

        		 Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Parallel EEPROM
        Verfügbarkeit
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        Available
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        100
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        1000
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        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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