STF2NK60Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

20 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.3 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STF2NK60Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STF2NK, STF2N, STF2, STF