STS10P3LLH6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Spule

Serie:

STS10P3LLH6

Transistortyp:

1 P-Channel Power MOSFET

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

112 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

61 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.8 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

STS10P, STS10, STS1, STS