2SD1768STPQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 500 mA, 3 V

Höhe:

3 mm

Länge:

4 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

2 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD1768, 2SD176, 2SD17, 2SD1, 2SD