SIE850DF-T1-E3

SIE850DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE850DF-T1-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIE850DF-T1-E3 Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIE850DF-E3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PolarPAK-10
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 50 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
35 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIE85, SIE8, SIE
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N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIE850DF-T1-E3
DISTI # 781-SIE850DF-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7500
Bild Teil # Beschreibung
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
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100
2,35 $
234,90 $
500
2,22 $
1 109,25 $
1000
2,09 $
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