FQH44N10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

39 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

180 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Serie:

QFET

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

31 S

Abfallzeit:

100 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

190 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

FQH4, FQH